| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -1.20 A |
| 封装 | SOT-23 |
| 漏源极电阻 | 270 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 500 mW |
| 输入电容 | 360 pF |
| 栅电荷 | 5.70 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 20.0 V |
| 漏源击穿电压 | -20.0 V |
| 栅源击穿电压 | -8.00 V to 8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.20 A |
| 上升时间 | 29.0 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -900mA/-0.9A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.45Ω @-900mA,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.8--2.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| ndustry standard outline SOT-23 surface mount package using proprietary SuperSOT TM-3 design for superior thermal and electrical capabilities. High density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability. 描述与应用| 不能忽视标准外形SOT-23表面贴装封装 使用专有SuperSOT TM-3的设计卓越的热性能和电气性能。 高密度电池设计极低的RDS（ON） 卓越的导通电阻和最大DC电流能力
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.09 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.04 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
6 页 / 0.07 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild（飞兆/仙童）
P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
