| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -1.00 A |
| 封装 | SOT-23 |
| 漏源极电阻 | 300 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 500 mW |
| 漏源极电压(Vds) | -20.0 V |
| 漏源击穿电压 | -20.0 V |
| 栅源击穿电压 | -8.00 V to 8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.00 A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -1A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.035Ω @-1A,-2.7V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.4--1V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits. VGS(th) < 1.0V. Proprietary package design using copper lead frame for superior thermal and electrical capabilities. High density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability. Compact industry standard SOT-23 surface Mount package. 描述与应用| 非常低的水平栅极驱动要求可直接 操作在3V电路。 VGS（TH）<1.0V。 专有包装设计采用铜引线框架的 卓越的热性能和电气性能。 高密度电池设计极低的RDS（ON） 卓越的导通电阻和最大DC电流能力。 紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装。
Fairchild（飞兆/仙童）
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P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS332P.... 晶体管, MOSFET, P沟道, 1 A, -20 V, 410 mohm, -4.5 V, -600 mV
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