| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -120 mA |
| 封装 | SOT-23 |
| 漏源极电阻 | 10.0 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 300 mW |
| 漏源极电压(Vds) | -60.0 V |
| 漏源击穿电压 | -60.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -120 mA |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.12A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 1.0Ω @-500mA,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1--3.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 360mW/0.36W Description & Applications| Features • −0.12A, −60V. RDS(ON) = 10 Ω @ VGS = −10 V RDS(ON) = 20 Ω @ VGS = −4.5 V • Voltage controlled p-channel small signal switch • High density cell design for low RDS(ON) • High saturation current 描述与应用| •电压控制p沟道小信号开关 •高密度电池设计的低RDS（ON） •高饱和电流“
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