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NAND512W3A2BN6E
来自 AiPCBA

NAND512W3A2BN6E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:Flash芯片
封装:TSOP
描述:128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
PDF文件:NAND512W3A2BN6E 数据手册 (56 页)
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符号图
焊盘图
引脚图
产品图

NAND512W3A2BN6E 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
电源电压3.30 V, 3.60 V (max)
封装TSOP
存取时间35.0 ns
内存容量512000000 B
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NAND512W3A2BN6E 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Listed by Manufacturer
包装方式Tray
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NAND512W3A2BN6E 数据手册

NAND512W3A2BN6E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
56 页 / 0.86 MByte

NAND512W3A2BN6 数据手册

NAND512W3A2BN6 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND512W3A2BN6E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND512W3A2BN6F 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
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