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NAND01GW3B2AN6E
来自 AiPCBA

NAND01GW3B2AN6E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:存储芯片
封装:TSOP
描述:NAND闪存 2.7-3.6V 1G (128Mx8)
PDF文件:NAND01GW3B2AN6E 数据手册 (64 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

NAND01GW3B2AN6E 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
电源电压3.30 V, 3.60 V (max)
封装TSOP
内存容量1000000000 B
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NAND01GW3B2AN6E 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Listed by Manufacturer
包装方式Tray
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NAND01GW3B2AN6E 数据手册

NAND01GW3B2AN6E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
64 页 / 0.61 MByte
NAND01GW3B2AN6E 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
60 页 / 1.3 MByte

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NAND闪存 2.7-3.6V 1G (128Mx8)
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