类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | -60.0 V |
额定电流 | -12.0 A |
封装 | TO-252/DPAK |
漏源极电压(Vds) | 60.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 12.0 A |
上升时间 | 50.0 ns |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Bulk |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -12A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.185Ω @6A,10V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| 2.0-4.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 2.1W Description & Applications| Features • Avalanche Energy Specified • IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| •雪崩能量 •IDSS和VDS(上) 指定高温 •无铅包可用
ON Semiconductor(安森美)
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功率MOSFET的12A , 60V P沟道DPAK Power MOSFET 12A, 60V P-Channel DPAK
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