Datasheet 搜索 > MOS管 > ON Semiconductor（安森美） > MTB30P06VT4G Datasheet 文档
MTB30P06VT4G
来自 AiPCBA

MTB30P06VT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
描述:P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
PDF文件:MTB30P06VT4G 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

MTB30P06VT4G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-60.0 V
额定电流-30.0 A
封装TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
漏源极电阻80.0 mΩ
极性P-Channel
功耗125 W
漏源极电压(Vds)60.0 V
漏源击穿电压60.0 V
栅源击穿电压-15.0 V to 15.0 V
连续漏极电流(Ids)30.0 A
上升时间25.9 ns
查看数据手册 >

MTB30P06VT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
查看数据手册 >

MTB30P06VT4G 数据手册

MTB30P06VT4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.16 MByte
MTB30P06VT4G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
12 页 / 0.09 MByte

MTB30P06VT4 数据手册

MTB30P06VT4 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET 30安培， 60伏P沟道D2PAK Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts P−Channel D2PAK
MTB30P06VT4 数据手册
Motorola（摩托罗拉）
MTB30P06VT4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet