| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 50.0 V |
| 额定电流 | 100 mA |
| 封装 | SOT-23 |
| 无卤素状态 | Halogen Free |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 246 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 22KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 22KΩ/Ohm 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 60-100 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.25W /250mW Description & Applications| Features • Simplifies Circuit Design • Reduces Board Space and Component Count • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 描述与应用| 特性 •简化电路设计 •缩小板级空间和元件数量 •这些器件是无铅，无卤/不含BFR，并符合RoHS标准
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偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor
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ON SEMICONDUCTOR MMUN2212LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率, SOT-23
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