| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -300 V |
| 额定电流 | -500 mA |
| 封装 | SOT-23/SC-59 |
| 极性 | Dual P-Channel |
| 功耗 | 300 mW |
| 集电极击穿电压 | -300 V (min) |
| 击穿电压(集电极-发射极) | -300 V (min) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -300V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −300V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 50MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 40 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| High Voltage Transistors PNP Silicon Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 描述与应用| 高电压晶体管PNP硅 特点 •这些器件是无铅，无卤/ 无BFR，并符合RoHS标准
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA92 单晶体管 双极, PNP, -300 V, 50 MHz, 350 mW, -500 mA, 25 hFE
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS MMBTA92 单晶体管 双极, PNP, -300 V, 50 MHz, 350 mW, -500 mA, 40 hFE
NXP（恩智浦）
NXP MMBTA92 单晶体管 双极, PNP, -300 V, 50 MHz, 250 mW, -100 mA, 25 hFE
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MMBTA92LT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -300 V, 50 MHz, 300 mW, -500 mA, 50 hFE
ON Semiconductor（安森美）
高压晶体管PNP硅 High Voltage Transistors PNP Silicon
Micro Commercial Components
MMBTA92 系列 300 V 300 mA PNP 硅 高压 晶体管 - SOT-23-3
NXP（恩智浦）
NXP MMBTA92,215 单晶体管 双极, PNP, -300 V, 50 MHz, 250 mW, -100 mA, 25 hFE
Nexperia USA
Nexperia MMBTA92,215 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=300 V, HFE:25, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
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