| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 300 V |
| 额定电流 | 500 mA |
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | NPN |
| 集电极击穿电压 | 300 V (min) |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 300 V (min) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 300V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 300V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 50Mhz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 40 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| High Voltage Transistors NPN Silicon Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a Pb−Free Lead Finish 描述与应用| 高电压晶体管 NPN硅 可能提供无铅封装。 G-后缀表示 无铅牵头完成
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS MMBTA42 单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 50 MHz, 350 mW, 500 mA, 40 hFE
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA42 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 350 mW, 500 mA, 40 hFE
CJ（长电科技）
NPN,Vceo=300V,Ic=0.3A,丝印1D
ON Semiconductor（安森美）
高电压晶体管 High Voltage Transistors
NXP（恩智浦）
NXP MMBTA42 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 250 mW, 100 mA, 25 hFE
Infineon（英飞凌）
NPN硅晶体管高电压 NPN Silicon Transistor for High Voltages
KEC(Korea Electronics)（KEC株式会社）
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