| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 300 mA |
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 30V |
| 集电极最大允许电流 | 0.3A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-EmitterVoltage(VCEO)| 30V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 300mA/0.3A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 125MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 10000 @ 5V,0.1A 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| 1.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 描述与应用| • 该产品是无铅，无卤/ 无BFR，并符合RoHS
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
11 页 / 0.21 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA14 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 350 mW, 1.2 A, 20000 hFE
Infineon（英飞凌）
NPN硅达林顿晶体管高集电极电流低集电极 - 发射极饱和电压 NPN Silicon Darlington Transistor High collector current Low collector-emitter saturation voltage
CJ（长电科技）
达林顿管 MMBTA14 K3D SOT-23 NPN,Vceo=30V,Ic=300mA
National Semiconductor（美国国家半导体）
Micro Commercial Components
KEC(Korea Electronics)（KEC株式会社）
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