类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 40.0 V |
额定电流 | 200 mA |
封装 | SOT-23 |
极性 | NPN, N-Channel |
功耗 | 350 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 40.0 V |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 200mA/0.2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 300Mhz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 40~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage | 200mV~300mV 耗散功率PcPower Dissipation | Description & Applications | NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. ® As complementary type, the PNP transistor MMBT3906 is recommended. ® This transistor is also available in the TO-92 case with the type designation 2N3904. 描述与应用 | NPN硅外延平面晶体管 开关和放大器应用。 ®作为互补型,PNP 晶体管MMBT3906推荐。 ®这个晶体管也可以在TO-92 同类型案件指定2N3904。
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