| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -800 mA |
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | PNP, P-Channel |
| 功耗 | 350 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 60.0 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −60V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -800mA/-0.8A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 200MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -1.6V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| PNP epitaxial planar transistor PNP General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 500 mA. 描述与应用| PNP外延平面晶体管 PNP通用放大器 这个装置是专为使用通用放大器和开关要求集电极电流为500 mA。
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT2907. 单晶体管 双极, PNP, 40 V, 350 mW, 800 mA, 300 hFE
ON Semiconductor（安森美）
单晶体管 双极, PNP, 40 V, 350 mW, 800 mA, 300 hFE
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT2907A 单晶体管 双极, 通用, PNP, 60 V, 200 MHz, 350 mW, 800 mA, 300 hFE
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MMBT2907ALT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 200 hFE
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MMBT2907ALT3G 双极性晶体管, PNP, -60V, SOT-23, 整卷
ON Semiconductor（安森美）
通用晶体管 General Purpose Transistors
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MMBT2907AWT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 150 mW, -600 mA, 50 hFE
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