| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 15.0 V |
| 额定电流 | 200 mA |
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | NPN, N-Channel |
| 功耗 | 225 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 15.0 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 15V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 200mA/0.2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 40~120 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV~500mV 耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| NPN Switching Transistor This device is designed for high speed saturation switching at collector currents of 10 mA to 100 mA. Sourced from Process 21. 描述与应用| NPN开关晶体管 该设备是专为高速饱和开关集电极 10 mA至100 mA的电流
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT2369 单晶体管 双极, NPN, 15 V, 350 mW, 200 mA, 40 hFE
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT2369A 单晶体管 双极, NPN, 15 V, 225 mW, 200 mA, 40 hFE
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MMBT2369ALT1G 单晶体管 双极, NPN, 15 V, 225 mW, 200 mA, 40 hFE
ON Semiconductor（安森美）
MMBT2369LT1 NPN三极管 40V 200mA/0.2A 20~120 250mV/0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 M1J 开关晶体管
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MMBT2369LT1G 单晶体管 双极, NPN, 15 V, 300 mW, 200 mA, 120 hFE
ON Semiconductor（安森美）
NPN 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
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