| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 15.0 V |
| 额定电流 | 200 mA |
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | NPN, N-Channel |
| 功耗 | 350 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 15V |
| 集电极最大允许电流 | 0.2A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 15V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 200mA/0.2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 40~120 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV~500mV 耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| NPN Switching Transistor This device is designed for high speed saturation switching at collector currents of 10 mA to 100 mA. Sourced from Process 21. 描述与应用| NPN开关晶体管 该设备是专为高速饱和开关集电极 10 mA至100 mA的电流
Fairchild（飞兆/仙童）
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