| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -300 V |
| 额定电流 | -500 mA |
| 封装 | TO-126 |
| 极性 | PNP, P-Channel |
| 功耗 | 20.0 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | -300 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.5A |
高电压晶体管，ON Semiconductor
●### 标准
●带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS MJE350 单晶体管 双极, PNP, -300 V, 20.8 W, -500 mA, 240 hFE
ON Semiconductor（安森美）
功率晶体管PNP硅 POWER TRANSISTOR PNP SILICON
Multicomp
MULTICOMP MJE350 单晶体管 双极, 通用, PNP, -300 V, 20 W, -500 mA, 30 hFE
Fairchild（飞兆/仙童）
高电压通用应用 High Voltage General Purpose Applications
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MJE350G 单晶体管 双极, 通用, PNP, 300 V, 20 W, 500 mA, 240 hFE
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MJE350STU 单晶体管 双极, PNP, -300 V, 20 W, -500 mA, 30 hFE
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