类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
额定电压(DC) | 250 V |
额定电流 | 1.00 A |
封装 | TO-252 |
极性 | NPN |
功耗 | 1.56 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 250 V |
集电极最大允许电流 | 1A |
高电压晶体管,ON Semiconductor
●### 标准
●带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
●### 双极性晶体管,On Semiconductor
●ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:
●小信号晶体管
●功率晶体管
●双晶体管
●复合晶体管对
●高电压晶体管
●射频晶体管
●双极/FET 晶体管
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MJD47T4G 单晶体管 双极, NPN, 250 V, 10 MHz, 1.56 W, 1 A, 30 hFE
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MJD47G 双极晶体管
ST Microelectronics(意法半导体)
STMicroelectronics### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
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