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MJD350T4
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MJD350T4 技术参数、封装参数

MJD350T4 外形尺寸、物理参数、其它

MJD350T4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.48 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.42 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
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MJD350 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
高电压功率晶体管 High Voltage Power Transistors
ST Microelectronics(意法半导体)
互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor MJD350TF , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:30, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD350T4G  单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -300 V, 10 MHz, 15 W, -500 mA, 30 hFE
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  MJD350T4  单晶体管 双极, PNP, 300 V, 15 W, -500 mA, 30 hFE
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD350G  双极晶体管
ON Semiconductor(安森美)
Freescale(飞思卡尔)
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