| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 2.00 A |
| 封装 | TO-252 |
| 极性 | NPN, N-Channel |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 100V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 100V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 25MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 500~2000 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 2V~3V 耗散功率PcPower Dissipation| Description & Applications| Complementary power Darlington transistors Good hFE linearity ■ High fT frequency ■ Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode 描述与应用| Complementary power Darlington transistors HFE线性度好 ■高FT 频率 ■单片达林顿配置 综合反平行集电极 - 发射极二极管
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ON Semiconductor（安森美）
互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors
ON Semiconductor（安森美）
互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MJD112T4G. 达林顿晶体管, NPN, 100V, D-PAK
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS MJD112T4 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 25 MHz, 20 W, 2 A, 1000 hFE
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MJD112-1G 晶体管, NPN
ON Semiconductor（安森美）
NPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
Fairchild（飞兆/仙童）
NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Micro Commercial Components
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互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors
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