| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 750 mA |
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 750 mA |
| 上升时间 | 26.0 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流Id Drain Current| 750mA/0.75A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.5-1.0V 耗散功率Pd Power Dissipation| 400mW/0.4W Description & Applications| Part of the GreenLine Portfolio of devices with energy–conserving traits. These miniature surface mount MOSFETs utilize Motorola’s High Cell Density, HDTMOS process. Low rDS(on)assures minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in space sensitive power management circuitry. Typical applications are dc–dc converters and power management in portable and battery–powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones. • Low rDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life • Miniature SOT–23 Surface Mount Package Saves Board Space • Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life • Miniature SOT–23 Surface Mount Package Saves Board Space 描述与应用| 部分莱恩设备组合与能源 节约性状。 这些微型表面贴装MOSFET采用摩托罗拉 高密度，HDTMOS过程。低RDS（ON）保证 最小的功率损耗和节省能源，使这个装置 使用空间敏感的电源管理电路的理想选择。 典型的应用是在便携式和电池供电产品，如DC-DC转换器和电源管理 电脑，打印机，PCMCIA卡，蜂巢式和无绳 电话。 •低RDS（ON） 提供更高的效率和延长电池寿命 •微型SOT-23表面贴装封装节省电路板空间 •低的RDS（on） 提供更高的效率和延长电池寿命 •微型SOT-23表面贴装封装节省电路板空间
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MGSF1N02LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 20 V, 0.075 ohm, 10 V, 1.7 V
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MGSF1N02LT1.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 20 V, 85 mohm, 10 V, 1.7 V
ON Semiconductor（安森美）
部分莱恩设备组合与能源节约性状。这些微型表面贴装MOSFET采用摩托罗拉高密度，HDTMOS过程。低RDS（ON）保证最小的功率损耗和节省能源，使这个装置使用空间敏感的电源管理电路的理想选择。典型的..
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET 750毫安， 20伏 Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts
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