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M29W160ET70N6E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	Flash芯片
封装:	48TSOP
描述:	16兆位（2MB ×8或1Mb的X16 ，引导块） 3V供应闪存 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
PDF文件:	M29W160ET70N6E 数据手册 (40 页)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

M29W160ET70N6E 技术参数、封装参数

类型	描述
产品生命周期	Not Listed by Manufacturer
包装方式	Bulk

ST Microelectronics（意法半导体）

40 页 / 0.64 MByte

ST Microelectronics（意法半导体）

16兆位（2MB ×8或1Mb的X16 ，引导块） 3V供应闪存 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

Micron（镁光）

MICRON M29W160ET70N6E 闪存, 引导块, 非, 16 Mbit, 2M x 8位 / 1M x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚

Micron（镁光）

Numonyx

ST Microelectronics（意法半导体）

16兆位（2MB ×8或1Mb的X16 ，引导块） 3V供应闪存 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

ST Microelectronics（意法半导体）

16兆位（2MB ×8或1Mb的X16 ，引导块） 3V供应闪存 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

Numonyx

ST Microelectronics（意法半导体）

16兆位（2MB ×8或1Mb的X16 ，引导块） 3V供应闪存 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

Micron（镁光）

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