KST4401 数据手册 - Samsung（三星）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 600mA/0.6A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 250MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 750mV/0.75V 耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| Switching Transistor NPN Epitaxial Silicon Transistor 描述与应用| 开关晶体管 NPN外延硅晶体管