| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 500 mA |
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 200V |
| 集电极最大允许电流 | 0.5A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 200V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 200V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 500MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 40 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| High Voltage Transistor NPN Epitaxial Silicon Transistor 描述与应用| 高电压晶体管 NPN外延硅晶体管
Fairchild（飞兆/仙童）
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KST43MTF NPN三极管 200V 500mA/0.5A 500MHz 40 500mV/0.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 1E 高电压晶体管
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