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IXTP3N120
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IXTP3N120 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:中高压MOS管
封装:TO-220
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXTP3N120  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 1.2 kV, 4.5 ohm, 10 V, 5 V
PDF文件:IXTP3N120 数据手册 (5 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IXTP3N120 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)1.20 kV
额定电流3.00 A
封装TO-220
漏源极电阻4.50 Ω
极性N-Channel
功耗200 W
漏源极电压(Vds)1.20 kV
连续漏极电流(Ids)3.00 A
上升时间35.0 ns
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IXTP3N120 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Bulk, Tube
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IXTP3N120 数据手册

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5 页 / 0.16 MByte
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