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IXTK200N10L2 数据手册 - IXYS Semiconductor
制造商:
IXYS Semiconductor
分类:
MOS管
封装:
TO-264-3, TO-264AA
描述:
IXTK 系列 单 N 沟道 100 V 11 mOhm 1040 W 功率 Mosfet - TO-264
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXTK200N10L2 数据手册
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IXTK200N10L2 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-264-3, TO-264AA
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
100V
连续漏极电流(Ids)
200A
IXTK200N10L2 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
包装方式
Tube
IXTK200N10L2 符合标准
IXTK200N10L2 数据手册
IXTK200N10L2
其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.13 MByte
IXTK200N10 数据手册
IXTK200N10
P
数据手册
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR IXTK200N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 200 A, 100 V, 7.5 mohm, 15 V, 5 V
IXTK200N10
L2
数据手册
IXYS Semiconductor
IXTK 系列 单 N 沟道 100 V 11 mOhm 1040 W 功率 Mosfet - TO-264
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