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IXTK102N30P 数据手册 - IXYS Semiconductor
制造商:
IXYS Semiconductor
分类:
MOS管
封装:
TO-264
描述:
IXYS SEMICONDUCTOR IXTK102N30P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 102 A, 300 V, 33 mohm, 10 V, 5 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXTK102N30P 数据手册
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IXTK102N30P 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-264
极性
N-Channel
功耗
700 W
漏源极电压(Vds)
300V
连续漏极电流(Ids)
102 A
IXTK102N30P 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
包装方式
Tube
IXTK102N30P 符合标准
IXTK102N30P 数据手册
IXTK102N30P
其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.21 MByte
IXTK102N30P
开发手册
IXYS Semiconductor
6 页 / 1.89 MByte
IXTK102N30 数据手册
IXTK102N30
P
数据手册
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR IXTK102N30P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 102 A, 300 V, 33 mohm, 10 V, 5 V
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