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IXTH1N200P3 数据手册 - IXYS Semiconductor
制造商:
IXYS Semiconductor
分类:
MOS管
封装:
TO-247
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXTH1N200P3 数据手册
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IXTH1N200P3 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-247
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
2000V
连续漏极电流(Ids)
1A
IXTH1N200P3 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
包装方式
Tube
IXTH1N200P3 符合标准
IXTH1N200P3 数据手册
IXTH1N200P3
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IXYS Semiconductor
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