| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Screw |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 500 V |
| 额定电流 | 80.0 A |
| 封装 | SOT-227-4 |
| 漏源极电阻 | 55.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 780 W |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 80.0 A |
| 上升时间 | 70.0 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Bulk |
| 重量 | 36.0 mg |
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IXYS SEMICONDUCTOR IXFN80N50 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 80 A, 500 V, 55 mohm, 10 V, 4.5 V
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N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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