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IXFN64N60P
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IXFN64N60P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN64N60P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 64 A, 600 V, 96 mohm, 10 V, 5 V
PDF文件:IXFN64N60P 数据手册 (5 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IXFN64N60P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数4 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流64.0 A
封装SOT-227
漏源极电阻96.0 mΩ
极性N-Channel
功耗700 W
输入电容1.15 nF
栅电荷200 nC
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
连续漏极电流(Ids)50.0 A
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IXFN64N60P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
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IXFN64N60P 数据手册

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IXFN64N60 数据手册

IXFN64N60P 数据手册
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IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN64N60P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 64 A, 600 V, 96 mohm, 10 V, 5 V
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