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IXFN26N120P 数据手册 - IXYS Semiconductor
制造商:
IXYS Semiconductor
分类:
MOS管
封装:
SOT-227-4
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXFN26N120P 数据手册
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IXFN26N120P 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Chassis
封装
SOT-227-4
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
1200V
连续漏极电流(Ids)
23A
IXFN26N120P 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
包装方式
Tube
IXFN26N120P 符合标准
IXFN26N120P 数据手册
IXFN26N120P
其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
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