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IXFN24N100
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IXFN24N100 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:ISOTOP
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN24N100  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 1 kV, 390 mohm, 10 V, 5.5 V
PDF文件:IXFN24N100 数据手册 (4 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IXFN24N100 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数3 Pin
额定电压(DC)1.00 kV
额定电流24.0 A
封装ISOTOP
漏源极电阻390 mΩ
极性N-Channel
功耗600 W
漏源极电压(Vds)1.00 kV
连续漏极电流(Ids)24.0 A
上升时间35.0 ns
隔离电压2.50 kV
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IXFN24N100 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Bulk
重量40.0 g
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IXFN24N100 数据手册

IXFN24N100 数据手册
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.1 MByte
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