类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Chassis, Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 70.0 V |
额定电流 | 200 A |
封装 | ISOTOP |
漏源极电阻 | 6.00 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 520 W |
漏源极电压(Vds) | 70.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 200 A |
上升时间 | 30.0 ns |
隔离电压 | 2.50 kV |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
包装方式 | Bulk |
重量 | 44.0 g |
IXYS Semiconductor
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IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR IXFN200N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 200 A, 100 V, 7.5 mohm, 15 V, 5 V
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR IXFN200N07 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 200 A, 70 V, 6 mohm, 10 V, 4 V
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