| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 44.0 A |
| 封装 | TO-264-3, TO-264AA |
| 漏源极电阻 | 130 mΩ |
| 功耗 | 560 W |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 44.0 A |
| 上升时间 | 50.0 ns |
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ 系列
●### MOSFET 晶体管，IXYS
●IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
IXYS Semiconductor
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IXYS SEMICONDUCTOR IXFK44N80P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 800 V, 190 mohm, 10 V, 5 V
IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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