类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 300 V |
额定电流 | 52.0 A |
封装 | TO-247 |
漏源极电阻 | 60.0 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 360 W |
漏源极电压(Vds) | 300 V |
连续漏极电流(Ids) | 52.0 A |
上升时间 | 60.0 ns |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
包装方式 | Bulk |
重量 | 6.00 g |
IXYS Semiconductor
2 页 / 0.06 MByte
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR IXFH52N30Q 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 52 A, 300 V, 60 mohm, 10 V, 4 V
IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件