| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247 |
| 极性 | N-Channel |
| 漏源极电压(Vds) | 600V |
| 连续漏极电流(Ids) | 50A |
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列
●HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。
●快速本质整流器二极管
●低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷）
●低本质栅极电阻
●工业标准封装
●低封装电感
●高功率密度
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.14 MByte
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR IXFH50N60P3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 50 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 5 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
