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IXFH36N60P
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IXFH36N60P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH36N60P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 600 V, 190 mohm, 10 V, 5 V
PDF文件:IXFH36N60P 数据手册 (4 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IXFH36N60P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流36.0 A
封装TO-247
漏源极电阻190 mΩ
极性N-Channel
功耗650 W
输入电容5.80 nF
栅电荷102 nC
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
连续漏极电流(Ids)36.0 A
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IXFH36N60P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
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IXFH36N60P 数据手册

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4 页 / 0.26 MByte
IXFH36N60P 其他数据使用手册
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IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH36N60P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 600 V, 190 mohm, 10 V, 5 V
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