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IXFH26N60Q
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IXFH26N60Q 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH26N60Q  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 26 A, 600 V, 250 mohm, 10 V, 4.5 V
PDF文件:IXFH26N60Q 数据手册
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IXFH26N60Q 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流26.0 A
封装TO-247
漏源极电阻250 mΩ
极性N-Channel
功耗360 W
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)26.0 A
上升时间32.0 ns
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IXFH26N60Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Bulk
重量6.00 g
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IXFH26N60Q 数据手册

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