| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 800 V |
| 额定电流 | 20.0 A |
| 封装 | TO-247 |
| 漏源极电阻 | 420 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 360 W |
| 漏源极电压(Vds) | 800 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 20.0 A |
| 上升时间 | 27.0 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Bulk |
| 重量 | 6.00 g |
IXYS Semiconductor
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IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR IXFH20N80Q 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 800 V, 420 mohm, 10 V, 4.5 V
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