类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
电源电压 | 10.0 V (min) |
封装 | REEL |
输出接口数 | 2 Output |
输出电压 | 620 V |
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,Infineon
●一系列半桥驱动器设计用于控制 3 相应用中的 MOSFET 和 IGBT 功率设备。该设备具有 600 V 的最大阻塞电压,且使用 CMOS 和 TTL 兼容的信号级别进行低侧控制。
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IRS2336DSPBF 双路芯片, IGBT/MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 350mA输出, 530ns延迟, SOIC-28
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRS2336SPBF 芯片, 栅极驱动器, 高电压, 三相, 28-SOIC
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRS23364DSPBF 驱动器芯片, 3相桥接, 11.5V-20V电源, 350mA输出, 530ns延迟, SOIC-28
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRS23364DJPBF 驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 11.5V-20V电源, 350mA输出, 530ns延迟, LCC-44
Infineon(英飞凌)
MOSFET驱动器, 3相桥, 10V至20V电源, 350mA输出, 530ns延迟, MLPQ-34
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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