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IRS2108PBF
来自 AiPCBA

IRS2108PBF 技术参数、封装参数

IRS2108PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.31 MByte

IRS2108 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS21084SPBF  芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT 驱动器, 高/低压侧, DIP-8 新
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS2108SPBF.  芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 600mA输出, 200ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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