| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 55.0 V |
| 额定电流 | 47.0 A |
| 封装 | TO-220 |
| 漏源极电阻 | 22.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 83.0 W |
| 零部件系列 | IRLZ44N |
| 漏源极电压(Vds) | 55.0 V |
| 漏源击穿电压 | 55.0 V |
| 栅源击穿电压 | -16.0 V to 16.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 47.0 A |
| 上升时间 | 84.0 ns |
International Rectifier（国际整流器）
0.36 MByte
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLZ44NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 41 A, 55 V, 22 mohm, 10 V, 2 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRLZ44NSPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 47A, D2-PAK 新
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRLZ44NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 47A TO-220AB 新
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLZ44ZSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 55 V, 13.5 mohm, 10 V, 3 V
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