| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | TO-252-3 DPak (2 Leads + Tab) SC-63 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 25V |
| 连续漏极电流(Ids) | 81A |
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.27 MByte
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 25 V, 0.0042 ohm, 10 V, 1.8 V
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
