| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | REEL |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 55V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.8A |
N 通道功率 MOSFET，55V，Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLL014NTRPBF 晶体管, MOSFET, HEXFET, N沟道, 2 A, 55 V, 140 mohm, 10 V, 2 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLL014NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 55 V, 140 mohm, 10 V, 2 V
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRLL014NTRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道 2A
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRLL014NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 2A, SOT-223 新
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRLL014TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 0.2 ohm, 5 V, 2 V
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRLL014PBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 200 mohm, 5 V, 2 V
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