| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-220AB |
| 极性 | N-Channel |
| 漏源极电压(Vds) | 60V |
| 连续漏极电流(Ids) | 305A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
StrongIRFET™ Logic-Level 功率 MOSFET，Infineon
●是 Infineon StrongIRFET 系列的扩展，针对 +5V 逻辑电平栅极驱动的优化。 它们共享与现有 StrongIRFET 系列相同的特性，如低 RDS（接通）用于提供更大效率，及高电路载流量用于提高耐用性和操作可靠性。
●最佳 RDS（接通）@ VGS = +4.5V
●适用于电池供电系统
●应用范围：电机驱动器、同步整流器系统、OR-ing 和冗余电源开关、直流-直流转换器
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.71 MByte
Infineon（英飞凌）
27 页 / 0.3 MByte
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRL60B216 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 60 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2.4 V 新
Infineon（英飞凌）
IRL60S216 系列 60 V 298 A 1.95 mOhm 表面贴装 IR Mosfet - D2PAK
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
