| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | REEL |
| 极性 | N-Channel |
| 漏源极电压(Vds) | 30V |
| 连续漏极电流(Ids) | 140A |
N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon
●Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.38 MByte
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.36 MByte
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.47 MByte
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.56 MByte
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS（ON） = 0.006ohm ，ID = 140A ） Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.006ohm, Id=140A)
Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRL3803PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 30 V, 6 mohm, 10 V, 1 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRL3803VPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 140 A, 30 V, 5.5 mohm, 10 V, 1 V
Infineon（英飞凌）
N沟道 30 V 3.8 W 140 nC 功率Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRL3803SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 30 V, 6 mohm, 10 V, 1 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
