类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | REEL |
极性 | N-Channel |
漏源极电压(Vds) | 30V |
连续漏极电流(Ids) | 140A |
N 通道功率 MOSFET,30V,Infineon
●Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
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IRF
功率MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(ON) = 0.006ohm ,ID = 140A ) Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.006ohm, Id=140A)
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IRL3803PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 30 V, 6 mohm, 10 V, 1 V
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INFINEON IRL3803VPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 140 A, 30 V, 5.5 mohm, 10 V, 1 V
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N沟道 30 V 3.8 W 140 nC 功率Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3
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INFINEON IRL3803SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 30 V, 6 mohm, 10 V, 1 V
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