| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 36.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 35.0 W |
| 零部件系列 | IRL3714Z |
| 漏源极电压(Vds) | 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 36.0 A |
| 上升时间 | 13.0 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Bulk |
International Rectifier（国际整流器）
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 20V ， RDS（ON）最大值= 20mohm ，ID = 36A ） Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=20mohm, Id=36A)
International Rectifier（国际整流器）
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Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 30A 至 39A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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