| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | REEL |
| 极性 | N-Channel |
| 漏源极电压(Vds) | 30V |
| 连续漏极电流(Ids) | 116A |
N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon
●Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS（ON） = 7.0mohm ，ID = 116A ） Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRL2203NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 7 mohm, 10 V, 1 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRL2203NSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 116 A, 30 V, 7 mohm, 10 V, 3 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRL2203NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 116A, TO-220AB 新
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Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 116 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 3 V
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