| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | REEL |
单 IGBT 高达 20A，Infineon
●优化的 IGBT 设计用于中频应用，可快速响应，为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管，从而提供最佳的 IGBT 性能
Infineon（英飞凌）
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IRF
绝缘栅双极晶体管（ VCES = 600V ，的VCE（on ）典型值= 1.59V ， @ VGE = 15V ， IC = 17A） INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRG4BC30FPBF 单晶体管, IGBT, 31 A, 1.9 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRG4BC30UDPBF 单晶体管, IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRG4BC30SPBF 单晶体管, IGBT, 34 A, 1.6 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRG4BC30FD-SPBF 单晶体管, IGBT, 31 A, 1.8 V, 100 W, 600 V, TO-263, 3 引脚
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