| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | REEL |
| 极性 | N-Channel |
| 漏源极电压(Vds) | 60V |
| 连续漏极电流(Ids) | 72A |
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，Infineon
●Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 60V ， RDS（ON） = 0.018ohm ，ID = 50 * A） Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=50*A)
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFZ48NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 55 V, 14 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFZ48ZSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 61 A, 55 V, 0.0086 ohm, 10 V, 4 V 新
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRFZ48VPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 60V, 72A TO-220AB 新
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFZ48NSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 55 V, 14 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFZ48VPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 72 A, 60 V, 12 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 55 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 V
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